| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI4888DY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4888DY-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.6W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 箱1550N 圆形 - 外壳DJT16E21-16PN-LC 按钮开关A22L-GY-24-01M 矩形A6MMS-6406G 陶瓷电容器CK45-E3DD332ZYNN 圆形RM15TRD-10SB(71) Card EdgeGMA43DRMI-S288 Card EdgeESC07DREI-S93 数据采集 - 数字AD5162BRM100 接口 - 模拟开关FSUSB46L8X |
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